HBM/MM/CDM 半導(dǎo)體ESD測試是通過標(biāo)準(zhǔn)化模型模擬真實(shí)靜電放電場景，三大模型分別為 HBM（人體放電模型）、MM（機(jī)器放電模型）、CDM（帶電器件模型），三者對應(yīng)不同的失效場景與放電特性，是評估器件抗靜電能力的組合。

優(yōu)爾鴻信檢測電子實(shí)驗(yàn)室具備HBM/MM/CDM 半導(dǎo)體ESD測試能力，覆蓋從研發(fā)摸底到量產(chǎn)的全階段ESD測試需求。

半導(dǎo)體ESD 測試項(xiàng)目

1. HBM 人體放電模型（Human Body Model）

HBM 是模擬人體在環(huán)境中積累靜電后，手指接觸器件引腳時(shí)發(fā)生的靜電放電，主要對應(yīng)人工操作、搬運(yùn)、接觸器件的場景。

測試原理

通過標(biāo)準(zhǔn) RC 電路模擬人體的電容與電阻特性，向器件引腳施加規(guī)定電壓的靜電脈沖，測試器件在人體靜電沖擊下的耐受能力。

測試等級

消費(fèi)級器件通常要求 HBM ±1kV~±2kV，工業(yè)級與車規(guī)器件通常要求 ±2kV 以上，最高可驗(yàn)證至 ±8kV。

2. MM 機(jī)器放電模型（Machine Model）

MM 模型模擬生產(chǎn)環(huán)境中，金屬設(shè)備、自動(dòng)化工裝、測試儀器等導(dǎo)體積累靜電后，接觸器件引腳產(chǎn)生的放電，主要對應(yīng)自動(dòng)化生產(chǎn)、封裝測試的產(chǎn)線場景。

測試原理

放電回路電阻極低，放電電流上升速度更快、峰值更高，對器件的沖擊強(qiáng)度遠(yuǎn)大于同電壓下的 HBM 模型。

測試等級

常規(guī)器件要求 MM ±100V~±200V，高可靠器件可驗(yàn)證至 ±2kV。

3. CDM 帶電器件模型（Charged Device Model）

CDM 模型模擬器件自身在運(yùn)輸、高速分選、自動(dòng)化組裝過程中累積靜電后，引腳接觸接地導(dǎo)體時(shí)發(fā)生的快速放電，是當(dāng)前半導(dǎo)體制造與封測環(huán)節(jié)中主要的 ESD 失效誘因。

測試原理

先使器件本體帶電，再通過接地引腳實(shí)現(xiàn)快速放電，放電時(shí)間極短（納秒級）、電流峰值高，是 ESD 防護(hù)設(shè)計(jì)的核心難點(diǎn)。

測試等級

常規(guī)器件要求 CDM ±250V~±500V，高可靠車規(guī)器件可驗(yàn)證至 ±2kV。

如何選擇半導(dǎo)體ESD 測試項(xiàng)目

1.量產(chǎn)準(zhǔn)入與基礎(chǔ)驗(yàn)證：優(yōu)先做 HBM 測試，是絕大多數(shù)供應(yīng)鏈的基礎(chǔ)準(zhǔn)入要求；

2.自動(dòng)化產(chǎn)線適配：增加 MM 測試，驗(yàn)證器件在生產(chǎn)組裝環(huán)節(jié)的抗靜電能力；

3.高可靠與車規(guī)認(rèn)證：必須完成 HBM+MM+CDM 全項(xiàng)測試，全面覆蓋所有靜電失效場景；

4.研發(fā)防護(hù)設(shè)計(jì)優(yōu)化：可針對性開展 CDM 摸底測試，定位防護(hù)薄弱點(diǎn)。

優(yōu)爾鴻信檢測ESD測試能力

全等級覆蓋：HBM 最高 8kV、MM 最高 2kV、CDM 最高 2kV，滿足從消費(fèi)級到車規(guī)級的全等級測試需求；

標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備保障：采用 Thermo 原裝 ESD 測試系統(tǒng)，波形參數(shù)嚴(yán)格匹配相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，測試結(jié)果可追溯；

一站式服務(wù)：測試能力涵蓋三大模型測試；

技術(shù)支持：可根據(jù)測試結(jié)果提供失效分析建議，助力研發(fā)快速迭代。

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