在半導(dǎo)體器件從晶圓切割到封裝成型的全流程中，靜電放電（ESD）是導(dǎo)致早期失效和潛在損傷的頭號(hào)殺手。無(wú)論是功率器件、傳感器還是分立器件，任何一道工序的靜電積累都可能讓芯片內(nèi)部擊穿，造成不可逆損壞。因此，半導(dǎo)體ESD測(cè)試已成為晶圓廠、封測(cè)廠和IDM企業(yè)必須跨越的可靠性準(zhǔn)入門檻。

為什么半導(dǎo)體器件必須通過(guò)ESD測(cè)試？

半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷縮小，柵氧化層越來(lái)越薄，對(duì)靜電的敏感度急劇上升。一次微小的ESD事件（人體接觸或機(jī)器放電）可能引發(fā)金屬熔化、結(jié)燒毀或氧化層擊穿。據(jù)行業(yè)統(tǒng)計(jì)，約30%的集成電路失效與ESD有關(guān)。通過(guò)ESD測(cè)試，可以：

篩選脆弱批次：提前發(fā)現(xiàn)設(shè)計(jì)或工藝缺陷，避免大規(guī)模量產(chǎn)后的質(zhì)量事故。

建立防護(hù)等級(jí)：依據(jù)HBM、MM、CDM測(cè)試結(jié)果制定靜電防護(hù)措施（如防靜電包裝、接地規(guī)范）。

滿足下游客戶要求：汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域強(qiáng)制要求ESD測(cè)試報(bào)告。

優(yōu)爾鴻信半導(dǎo)體ESD測(cè)試能力

優(yōu)爾鴻信檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室配備Thermo Fisher原裝靜電放電測(cè)試系統(tǒng)，可一站式完成：

HBM（人體模型）：高8kV，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001。

MM（機(jī)器模型）：高2kV，符合JESD22-A115。

CDM（充電器件模型）：高2kV，符合JESD22-C101。

設(shè)備輸出波形精準(zhǔn)，重復(fù)性好，可覆蓋從晶圓級(jí)到成品的全系列半導(dǎo)體器件，包括MOSFET、IGBT、二極管、光耦、傳感器等。同時(shí)，我們可依據(jù)AEC-Q100、JEDEC等標(biāo)準(zhǔn)出具國(guó)際互認(rèn)的測(cè)試報(bào)告，助力您的產(chǎn)品進(jìn)入供應(yīng)鏈。

 我們的優(yōu)勢(shì)

全系列一站式：無(wú)需分批外送，節(jié)省周期。

原裝設(shè)備：數(shù)據(jù)精確，國(guó)際認(rèn)可。

工程師團(tuán)隊(duì)：平均10年以上可靠性測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，可提供失效分析建議。

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