1. X-Ray檢測:對樣品內部結構進行二維透視成像

2. LIT熱點偵測分析:定位樣品“微短路"缺陷位置 

3. CT無損檢測:三維重構樣品內部缺陷特征 

4. 等離子開封:暴露樣品內部微短路缺陷 

5. SEM-EDS分析:觀測樣品內部微短路缺陷形貌并確認成分

6. 分析結論 

3.1 X-Ray 檢測

對不良品進行X-Ray檢測，樣品內部未發(fā)現(xiàn)異常。 

3.2 LIT 熱點偵測分析 

LIT 熱點偵測(測試電流情況: 10mA/20mA)未發(fā)現(xiàn)異常。由于電阻太小(ICT 測試約1.1ohm)，熱點偵測的測試電流過大，導致短路現(xiàn)象消失。這與客戶描述的“測試電流稍大，短路會消失"相符合。

3.3 CT 無損檢測  

CT 檢測發(fā)現(xiàn)：

1.不良品內部存在“絲狀異物"，連接芯片內部焊點，造成“微短路"現(xiàn)象。 

2.“絲狀異物"呈現(xiàn)近似斷裂狀態(tài)，靠近芯片底部。

3.4 等離子開封分析   

等離子開封主要刻蝕有機塑封材料，對金屬層幾乎無效，故先對芯片表面進行手工研磨，才能讓等離子體直接刻蝕塑封料。開封結果發(fā)現(xiàn)：“絲狀異物"呈現(xiàn)亮白色，且周圍存在空隙。

3.5 SEM-EDS 分析

對等離子開封后的芯片進行SEM-EDS分析發(fā)現(xiàn)：

 1.亮白色“絲狀異物"的主要成分為焊料，以金屬絲狀(直徑約10.6μm)形式存在于填料中，沿著填料縫隙連接上下線路。 

 2.芯片內部線路的填料以大小顆粒交叉填充存在，“微短路"位置存在空隙。

EDS成分分析結果(wt%)

本次分析的不良品芯片采用的封裝工藝(見以下參考圖)：倒裝工藝(Flip Chip)，即在芯片焊盤上形成凸點(通常是焊料、銅柱或金凸點)然后將芯片翻轉，使凸點與基板上的對應焊盤對準，通過回流焊或熱壓合實現(xiàn)電氣與機械連接，最后填充底部填充膠以緩解熱應力。